檢索結果：共15筆資料 檢索策略： "diode".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="李奎毅"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本論文使用化學氣相傳導法(Chemical vapor transport, CVT)成長二硫化鉬(Molybdenum disulfide, MoS2)以及二硒化鎢(Tungsten disele…
2
石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
3
隨著資訊科技產業的蓬勃發展，如何縮小電子產品內部的半導體元件並提升運算速度儼然成為最重要的議題之一，除了不斷突破製程微縮化極限，也在尋求能夠取代矽的替代材料。過渡金屬硫化物 (Transition …
4
現今，二維原子級薄膜奈米材料的結合是相當重要的發展趨勢，特別是二維材料的異質接面更是目前新興發展重點。本計畫致力於將同為二維材料的石墨烯與過渡金屬硫化物做異質接面的結合並深入探討其接面特性，應用於二…
5
二維材料，像是石墨烯和過渡金屬硫屬化合物已成為現今電子和光電應用中的重要趨勢。石墨烯是目前宇宙中已知最薄和高機械強度的物質。它具有高電子遷移率，零有效質量，高透光率和高電導率等許多優良的特性。石墨烯…
6
7
本研究利用化學氣相傳導法成長硒化銦塊材，再以機械剝離法取得硒化銦薄片，先利用電荷中性點確認本質硒化銦為n型，再以掃描式電子顯微鏡觀察樣品表面樣貌，接著用氧電漿進行氧化處理以改變其半導體特性，分別用X…
8
過渡金屬三硫屬化物由於其結構的異向性在電性與光電應用中有很好的表現，這些表現使過渡金屬三硫化物 (TMTCs) 在該領域的其他二維材料中脫穎而出。TiS3是過渡金屬三硫屬化物的其中一員，是n型半導體…
9
本論文使用化學氣相傳導法合成層狀過渡金屬硫屬化物ReSe2，並且利用氧電漿摻雜的方式將其製作成同質接面pn二極體，將其應用於半波整流及光感測元件。利用拉曼光譜儀分析其晶格振動模態之變化，並分別以X光…
10
二維材料如石墨烯和過渡金屬硫化物等近幾年已成為近年來大家所研究的重點。石墨烯由一層的碳原子組成，擁有極佳的電學、化學、機械、熱學及光學性質。本質石墨烯在大氣中會吸附氧氣和水氣並呈現p型半導體的特性。…